应用案例

APPLICATION

研洁宽幅等离子清洗机去除光模块与光纤接头上的有机残留物


光通讯行业里,光模块(TOSA/ROSA/硅光)、光纤接头(LC/SC/MPO)、波导器件的插入损耗(IL)和回波损耗(RL)对表面清洁度极度敏感——接头端面、硅光芯片、透镜组哪怕附着纳米级指印、切割碎屑、有机脱模残留,都会让IL偏高、RL不达标,最终表现为客户端传输不稳、误码率上升。研成工业YJ-P研洁宽幅等离子清洗机(氩氧)款Ar/O₂为工作气体、RF 13.56MHz激发产生辉光等离子体幕,宽幅可达800mm,直接嵌入光器件产线,是光通讯前处理的适配机型。

一、光通讯器件的污染来源与影响

器件

关键界面

主要污染

失效表现

光纤接头(LC/SC)

陶瓷插芯端面

指印、抛光膏、 dust

IL↑RL↓、客户端返修

光模块(TOSA/ROSA)

透镜/硅光芯片

有机残留、微尘

耦合效率、误码率

硅光/CPO

波导/耦合面

切割微粒、光刻残胶

插损偏大、良率卡顿

 

二、YJ-P研洁宽幅等离子清洗机(氩氧)参数——光通讯黄金机型

宽幅等离子清洗机

这款是RF 13.56MHz + Ar/O₂,正好对应光通讯"温和清洗+不伤光学面"的需求:

项目

规格

宽幅等离子功率

1000W / 13.56MHz RF

工作气体

Ar / O₂

Ar流量

150 slm

O₂流量

30 slm

处理高度

1-8 mm

处理宽幅

800mm(可定制)

处理速度

0-6 m/min

工作气压

0.4-0.6 MPa

冷却

循环水冷

控制

PLC+HMI,可集成进MES

机理:13.56MHz RF激发下,Ar/O₂产生辉光式等离子体幕,O radicals温和分解有机残留(指印、抛光膏、光刻胶残迹)→CO₂+H₂OAr⁺辅助剥离微粒;RF低温特性(水冷+气体换热)保证光学面(石英//陶瓷)无热损伤,比常压单头均匀性高一个量级,适合光器件"大面积+低损伤"诉求。

光纤接头

三、产线实测(华中某光模块厂,LC接头+400G TOSA

指标

传统超声+擦拭基线

YJ-P宽幅(氩氧)处理后

插芯端面离子污染(NaCl当量)

0.6-1.0 μg/cm²

<0.15 μg/cm²

插入损耗ILLC UPC1310/1550nm

0.28±0.06 dB

0.18±0.03 dB

回波损耗RL

-48±3 dB

-55±2 dB

400G TOSA耦合良率

88-91%

94-97%

接头批次合格率(客户端IL/RL双检)

88-92%

>99%

数据基于研成工业研洁等离子实验室及合作光通讯客户产线实测整理,为典型改善区间,非承诺值。研成合作客户含光弘科技、海目星、舜宇、联创、光迅系代工等光通讯产业链客户。

四、FAQ

Q1: 陶瓷插芯和硅光芯片能用同一台吗?

A: 能。YJ-P宽幅(氩氧)RF 13.56MHz+循环水冷保证低温,陶瓷/石英/硅都安全;插芯走在线式(0-6m/min),硅光小片可降速或走YJ-PV宫格款(0402类小件更适配),配方切换即可。

Q2: Ar/O₂比例能调吗?

A: 能。画册标Ar 150 / O₂ 30是典型值(Ar:O₂≈5:1);有机残留重(抛光膏)可提O₂50slm,纯微粒可降O₂10slm,按来料污染特征调。

Q3: 和超声清洗比优势在哪?

A: 超声对插芯微孔有效但对光学面(透镜组/硅光波导)易留水痕,且干燥慢;等离子清洗干式、无残留、在线速度匹配SMT节拍,插损RL数据更稳定。

光通讯速率从100G→400G→800G→1.6T迭代,IL/RL的余量被持续压缩,前道表面清洁度从"可选项""必选项"。研成工业YJ-P研洁宽幅等离子清洗机(氩氧)款已在多家光模块/光器件客户产线落地,覆盖LC/SC/MPO接头、TOSA/ROSA、硅光耦合面等场景。