等离子蚀刻
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在芯片封装和先进工艺制造中，TSV 技术已经不再是一个可选项，而是决定产品性能上限的关键因素。随着制程节点不断缩小，芯片内部的结构越来越复杂，侧壁残留物的控制难度也随之增加。很多时候，光刻胶在注入硅通孔时，不仅会堵塞孔道，还会因为侧壁残留物的存在导致后续工艺失败。这不仅仅是脏东西的问题，而是涉及材料表面物理化学特性的深层挑战。
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