等离子微蚀刻
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在半导体封装环节，硅片作为最基础的基底，其表面状态直接决定了后续光刻胶的沉积与刻蚀效率。很多时候，客户反馈的良率波动，并非设备故障所致，而是表面微观环境的失控。如果表面过于平整，光刻胶中的树脂分子可能只是“滑”过；但若表面存在微量的金属离子或有机污染物，它们会优先吸附到胶层表面，形成物理阻隔，导致刻蚀后出现空洞或图案不清晰。这种“粘不住”的现象，本质上是表面能过低、润湿性差以及微观污染物覆盖所致。
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