真空等离子去胶机
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晶圆返工最头疼的往往不是大片残胶，而是显影后那层底膜、刻蚀后侧壁聚合物、离子注入后表面碳化的硬壳。肉眼看不出，显微镜下一照全是问题。研成工业的真空等离子去胶机走干式路线，不泡溶剂，在真空腔里用射频把氧气、氩气打成活性等离子体，靠化学氧化加物理轰击把光刻胶和纳米微观污染物转成气体抽走，顺便完成表面活化、改性和轻度蚀刻。
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当光刻胶在晶圆上完成光刻、显影与清洗，最终要离开硅片时，往往面临着最棘手的难题：如何彻底去除残留在表面的光刻胶残留而不损伤下方的电路，同时避免在后续工艺（如键合或薄膜沉积）中产生污染？传统的湿法剥离虽然成熟，但效率低下且难以控制剥离深度；而干法剥离又容易因参数波动导致胶膜破碎或残留。真空等离子去胶机正是解决这一核心痛点的关键设备，它通过在真空环境下利用高能粒子轰击或电晕放电，实现对光刻胶的高效分解与剥离。
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在众多去胶技术中，湿法去胶（Wet Etching）曾是主流方案，但随着制程节点不断缩小，其局限性日益凸显。湿法去胶虽然工艺简单、设备通用，但在面对先进节点时暴露出的三大核心问题，使其逐渐退出了“最优解”的舞台。有机溶剂残留、硅片翘曲变形以及环境污染，是湿法去胶最难以避免的副作用。有机溶剂分子极易残留在硅片表面，形成非预期的杂质层，导致后续光刻图形出现针孔或线条断裂；同时，溶剂挥发过程产生的热量会导致硅片翘曲，破坏晶圆平整度；更为严重的是，废弃的有机废液若处理不当，将造成严重的化学污染，增加后续清洗和检测的负担。相比之下，干法去胶凭借真空等离子（Vacuum Plasma）技术的优势，正在逐渐成为先进制程去胶的标准配置。
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