等离子蚀刻机
等离子蚀刻机（又称等离子刻蚀机）是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是通过电场使暴露在电子区域的气体形成等离子体，电离气体原子在电场加速下释放足够能量，对材料表面进行定向轰击和化学反应，从而实现精确的材料去除和图形转移。包括电容耦合等离子体（CCP）和电感耦合等离子体（ICP）等多种类型，支持从离子刻蚀到自由基刻蚀的广泛工艺控制。
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- 产品描述
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- 商品名称: 等离子蚀刻机
- 产品型号: YJ-VPO-580
等离子蚀刻机（又称等离子刻蚀机）是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是通过电场使暴露在电子区域的气体形成等离子体，电离气体原子在电场加速下释放足够能量，对材料表面进行定向轰击和化学反应，从而实现精确的材料去除和图形转移。包括电容耦合等离子体（CCP）和电感耦合等离子体（ICP）等多种类型，支持从离子刻蚀到自由基刻蚀的广泛工艺控制。
特点：
- 干法刻蚀工艺，避免湿法化学刻蚀带来的废液处理和环境污染问题；
- 可实现高精度的图形转移，刻蚀线宽可达亚微米级；
- 支持从离子刻蚀到自由基刻蚀的广泛工艺控制，配备低压、低电子温度且高密度的等离子源；
- 通过优化磁场可控制等离子体密度与均匀性；
- 结构设计简洁，维护方便；
- 以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电产生高密度等离子体，在下电极RF射频作用下对基片表面进行轰击，实现精确的材料去除；
- 可用于加工多种衬底，从直径高达200mm甚至300mm的晶片到装载在载片器上的零件。
应用行业：
半导体制造（氧化硅、氮化硅、多晶硅、硅及金属材料的刻蚀）、半导体照明、功率器件（超结MOSFET）、微机电系统（MEMS加速度传感器、陀螺仪、压力传感器、执行器等）、穿孔硅通道（TSV）、喷墨打印机头加工、半导体前工序生产及后续封装前清洗、各种材料工件粘合封装前处理等。
应用案例：
MEMS深硅刻蚀：某MEMS器件制造商采用高性能电感耦合等离子体（ICP）蚀刻系统进行MEMS和TSV应用所需的深度硅蚀刻。独特的反应室设计确保高深宽比结构的刻蚀精度，广泛应用于加速度传感器、陀螺仪、压力传感器等MEMS器件的制造。
功率器件制造：在超结MOSFET等功率器件的制造过程中，深硅刻蚀设备用于实现高深宽比的沟槽结构。工艺可在蚀刻（SF6）和钝化（C4F8）步骤之间反复切换等离子体化学成分，从而实现硅中沟槽或孔洞的各向异性蚀刻。
产品参数
设备名称 等离子蚀刻机 设备型号 YJ-VPO-580 输入电源 380V / AC 等离子功率 600W / 25-30KHz 工作气体 N2+CDA 气体纯度 ≥99.99% (可选配) 喷枪类型 直喷/旋喷 空气净化系统 外径100mm 处理高度 3-30mm 处理宽幅 20-65mm 设备重量 350KG 设备尺寸 1000mm(L)*980mm(W)*1850mm(H)
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